蒸(zheng)發(fa)物質如(ru)金屬(shu)、化(hua)合物等置(zhi)于(yu)坩堝(guo)內或(huo)掛在熱絲上作為(wei)蒸(zheng)發(fa)源(yuan)，待鍍工件，如(ru)金屬(shu)、陶瓷、塑(su)料等基(ji)片置(zhi)于(yu)坩堝(guo)前方(fang)。待系統抽至(zhi)高真空后(hou)，加熱坩堝(guo)使(shi)其中的物質蒸(zheng)發(fa)。蒸(zheng)發(fa)物質的原子(zi)(zi)或(huo)分子(zi)(zi)以(yi)冷凝方(fang)式(shi)沉積在基(ji)片表面(mian)。薄膜(mo)厚度可由數百埃至(zhi)數微米。膜(mo)厚決定于(yu)蒸(zheng)發(fa)源(yuan)的蒸(zheng)發(fa)速率和時間(jian)（或(huo)決定于(yu)裝(zhuang)料量），并與源(yuan)和基(ji)片的距(ju)離有(you)關。對于(yu)大面(mian)積鍍膜(mo)，常采用旋轉基(ji)片或(huo)多蒸(zheng)發(fa)源(yuan)的方(fang)式(shi)以(yi)保(bao)證膜(mo)層厚度的均(jun)勻性。從蒸(zheng)發(fa)源(yuan)到基(ji)片的距(ju)離應小(xiao)于(yu)蒸(zheng)氣分子(zi)(zi)在殘(can)余氣體(ti)中的平(ping)均(jun)自由程，以(yi)免蒸(zheng)氣分子(zi)(zi)與殘(can)氣分子(zi)(zi)碰撞引起(qi)化(hua)學作用。蒸(zheng)氣分子(zi)(zi)平(ping)均(jun)動能約(yue)為(wei)0、1～0、2電子(zi)(zi)伏。蒸(zheng)發(fa)源(yuan)有(you)三種(zhong)類型(xing)。
①電(dian)(dian)阻(zu)加(jia)熱源(yuan)：用(yong)難熔金(jin)屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀(zhuang),通以電(dian)(dian)流,加(jia)熱在它(ta)上方(fang)的(de)或置于坩堝中的(de)蒸發物質（圖1[蒸發鍍膜設(she)備(bei)示意圖]）電(dian)(dian)阻(zu)加(jia)熱源(yuan)主要用(yong)于蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；
②高頻感應(ying)加熱源(yuan)：用高頻感應(ying)電流(liu)加熱坩堝和蒸(zheng)發物質；
③電(dian)(dian)子(zi)束加(jia)熱源：適(shi)用(yong)于(yu)蒸發(fa)溫度較高(gao)（不低于(yu)2000[618-1]）的材料(liao)，即用(yong)電(dian)(dian)子(zi)束轟擊材料(liao)使(shi)其(qi)蒸發(fa)。
蒸發鍍(du)(du)膜(mo)與其他(ta)真空(kong)鍍(du)(du)膜(mo)方法相比，具(ju)有較高的沉積速率(lv)，可鍍(du)(du)制(zhi)單質和不(bu)易熱分解的化合物膜(mo)。

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