1、蒸鍍工藝方式的選擇

　　熱電(dian)(dian)阻(zu)蒸(zheng)鍍(du)與電(dian)(dian)子(zi)束蒸(zheng)鍍(du)是(shi)常見的(de)蒸(zheng)發鍍(du)膜(mo)方(fang)式，其中熱電(dian)(dian)阻(zu)蒸(zheng)鍍(du)的(de)原(yuan)(yuan)理是(shi)通過電(dian)(dian)流加熱蒸(zheng)發蒸(zheng)發舟上(shang)的(de)原(yuan)(yuan)料，而電(dian)(dian)子(zi)束蒸(zheng)鍍(du)的(de)原(yuan)(yuan)理是(shi)通過電(dian)(dian)子(zi)束加熱蒸(zheng)發水冷(leng)坩堝(guo)上(shang)的(de)原(yuan)(yuan)料。

　　熱電阻蒸(zheng)鍍的優點在于設備簡單(dan)、價(jia)格低、可靠性(xing)較(jiao)高(gao)，對原料預熱充分，不容易導(dao)致化合物原料分解，其缺點在于能(neng)達到的溫度不高(gao)，加熱器使(shi)用壽命不長。

　　電(dian)子(zi)束(shu)蒸鍍的(de)優點在于能達到(dao)的(de)溫度更高，蒸發速度快，但缺(que)點是(shi)難以有效控制電(dian)流，容易導致低(di)熔點材料(liao)(liao)快速蒸發，且電(dian)子(zi)束(shu)能量多(duo)被水冷系統帶走，熱效率低(di)，電(dian)子(zi)束(shu)轟(hong)擊(ji)還容易造成化(hua)合(he)物(wu)原料(liao)(liao)的(de)分解，坩堝存在污染原料(liao)(liao)的(de)可能性，另(ling)外會(hui)產生對人體(ti)有害的(de)X射線(xian)。

　　因此在具體(ti)的(de)(de)(de)真空鍍(du)(du)膜(mo)生產(chan)工(gong)作(zuo)中，我們(men)可(ke)以根據以上分(fen)析來選擇適宜(yi)的(de)(de)(de)蒸(zheng)發鍍(du)(du)設備(bei)和工(gong)藝方式，例如(ru)MgF2的(de)(de)(de)熔(rong)點(dian)(dian)只有1261℃，考慮到熔(rong)點(dian)(dian)低如(ru)選用電(dian)子束蒸(zheng)鍍(du)(du)很難控制預蒸(zheng)鍍(du)(du)時間和電(dian)流(liu)(liu)，容易蒸(zheng)鍍(du)(du)不均勻且(qie)產(chan)生殘留原料(liao)，原料(liao)也易受坩堝的(de)(de)(de)污(wu)染。因而更適合(he)使用熱電(dian)阻蒸(zheng)鍍(du)(du)的(de)(de)(de)方式，可(ke)以調(diao)節電(dian)流(liu)(liu)來充分(fen)預蒸(zheng)鍍(du)(du)，先(xian)消除原料(liao)中的(de)(de)(de)雜質，避(bi)免直接蒸(zheng)鍍(du)(du)原料(liao)受熱不均導致的(de)(de)(de)噴濺，進而能夠保證蒸(zheng)鍍(du)(du)的(de)(de)(de)穩定性(xing)(xing)和均勻性(xing)(xing)。

　　2、蒸鍍時間與溫(wen)度(du)的控制

　　蒸(zheng)發(fa)鍍的(de)實(shi)際工作經驗(yan)告(gao)訴我們(men)，原料充足情況(kuang)下(xia)鍍膜厚(hou)度(du)與蒸(zheng)鍍時間呈線性關系(xi)，這表(biao)明高真(zhen)空情況(kuang)下(xia)蒸(zheng)鍍速(su)率比較均勻。而基(ji)片的(de)溫度(du)，通常對(dui)鍍膜厚(hou)度(du)影響不大，其原因在(zai)于高真(zhen)空環境下(xia)分子(zi)間碰撞很小，蒸(zheng)發(fa)分子(zi)遇基(ji)片表(biao)面迅速(su)凝(ning)結。因此如MgF2原料的(de)蒸(zheng)鍍基(ji)片溫度(du)通常保持60℃即可。

　　3、原料狀態的影響

　　不同的原料狀態可能會對蒸鍍過程造成(cheng)較大的影響。實驗研究成(cheng)果表明(ming)：

　　在蒸鍍條件一(yi)致的(de)(de)前提(ti)下，粉末狀的(de)(de)原(yuan)料(liao)狀態結(jie)構松散，原(yuan)料(liao)內(nei)的(de)(de)水(shui)與(yu)空(kong)氣較(jiao)(jiao)多，實際蒸鍍前應充分溶解(jie)原(yuan)料(liao)，原(yuan)料(liao)質量(liang)損失相(xiang)對較(jiao)(jiao)大，光照度較(jiao)(jiao)差;多晶(jing)顆(ke)粒(li)的(de)(de)原(yuan)料(liao)狀態由于生產過程已經除氣脫(tuo)水(shui)，結(jie)構均勻致密，實際蒸鍍前原(yuan)料(liao)質量(liang)損失相(xiang)對較(jiao)(jiao)小，光照度較(jiao)(jiao)好。

　　實(shi)際蒸鍍中(zhong)我們發現，單(dan)晶原(yuan)(yuan)料蒸鍍的薄(bo)膜組(zu)成形式為大分子團，冷卻(que)后形成大顆粒柱狀結構，薄(bo)膜結構疏松，耐(nai)磨性(xing)差，而多晶原(yuan)(yuan)料薄(bo)膜為小分子沉積，更適宜于用作(zuo)蒸鍍原(yuan)(yuan)料。

　　4、蒸發源(yuan)與基片間(jian)距的影響

　　蒸(zheng)(zheng)發源(yuan)與基片(pian)間(jian)距(ju)會對(dui)薄膜均勻(yun)性等造成一定影響，根據實際(ji)鍍膜經(jing)驗，蒸(zheng)(zheng)發源(yuan)與基片(pian)間(jian)距(ju)較小的情況下(xia)，薄膜厚(hou)度(du)相對(dui)更(geng)大(da)，均勻(yun)性也相對(dui)更(geng)好。因此在實際(ji)鍍膜生產中，我們需要考慮如何合理調整蒸(zheng)(zheng)發源(yuan)與基片(pian)的間(jian)距(ju)，確保各區域的基片(pian)與蒸(zheng)(zheng)發源(yuan)間(jian)距(ju)最佳(jia)。