蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)物質如(ru)金(jin)屬、化合物等(deng)置(zhi)(zhi)于(yu)(yu)坩(gan)堝內(nei)或(huo)掛(gua)在熱絲上作為(wei)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)源(yuan)(yuan)，待(dai)鍍工件，如(ru)金(jin)屬、陶瓷、塑料(liao)等(deng)基(ji)(ji)片(pian)(pian)置(zhi)(zhi)于(yu)(yu)坩(gan)堝前方。待(dai)系統抽至高真空后，加熱坩(gan)堝使其中的(de)(de)(de)物質蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)。蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)物質的(de)(de)(de)原(yuan)子(zi)(zi)(zi)或(huo)分(fen)子(zi)(zi)(zi)以(yi)冷凝方式(shi)沉積(ji)在基(ji)(ji)片(pian)(pian)表面(mian)。薄膜(mo)厚(hou)度可由(you)數(shu)百埃至數(shu)微米。膜(mo)厚(hou)決定(ding)于(yu)(yu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)源(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)速率(lv)和時間（或(huo)決定(ding)于(yu)(yu)裝料(liao)量(liang)），并與源(yuan)(yuan)和基(ji)(ji)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)距離(li)有關。對于(yu)(yu)大(da)面(mian)積(ji)鍍膜(mo)，常采用(yong)旋轉基(ji)(ji)片(pian)(pian)或(huo)多蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)源(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)方式(shi)以(yi)保證膜(mo)層厚(hou)度的(de)(de)(de)均勻性。從蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)源(yuan)(yuan)到基(ji)(ji)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)距離(li)應小于(yu)(yu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)(qi)分(fen)子(zi)(zi)(zi)在殘余氣(qi)(qi)(qi)體中的(de)(de)(de)平(ping)均自由(you)程，以(yi)免蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)(qi)分(fen)子(zi)(zi)(zi)與殘氣(qi)(qi)(qi)分(fen)子(zi)(zi)(zi)碰撞引起化學(xue)作用(yong)。蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)(qi)分(fen)子(zi)(zi)(zi)平(ping)均動(dong)能約為(wei)0、1～0、2電子(zi)(zi)(zi)伏。蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)源(yuan)(yuan)有三種類(lei)型。
①電(dian)阻加熱(re)源：用難(nan)熔金屬(shu)如(ru)鎢、鉭制成舟(zhou)箔或絲狀,通以電(dian)流,加熱(re)在它上方的(de)或置于(yu)坩堝中的(de)蒸(zheng)發物質(zhi)（圖1[蒸(zheng)發鍍膜設(she)備示意圖]）電(dian)阻加熱(re)源主要用于(yu)蒸(zheng)發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；
②高(gao)頻感應加(jia)熱源(yuan)：用高(gao)頻感應電流加(jia)熱坩堝和蒸發物(wu)質；
③電子(zi)束(shu)加熱源：適用(yong)于蒸發溫(wen)度較高（不(bu)低于2000[618-1]）的材(cai)料，即用(yong)電子(zi)束(shu)轟(hong)擊材(cai)料使其蒸發。
蒸發鍍(du)膜(mo)與其他真(zhen)空(kong)鍍(du)膜(mo)方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍(du)制單(dan)質和不易熱分解的化合物膜(mo)。

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