蒸(zheng)(zheng)(zheng)發物質(zhi)如金屬、化合物等(deng)置于(yu)坩堝內或掛在熱絲(si)上作為(wei)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發源(yuan)，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等(deng)基(ji)片(pian)置于(yu)坩堝前方。待系統抽至高真空后，加熱坩堝使(shi)其中的物質(zhi)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發。蒸(zheng)(zheng)(zheng)發物質(zhi)的原(yuan)子(zi)或分子(zi)以(yi)冷凝方式沉積(ji)在基(ji)片(pian)表面(mian)。薄膜厚度可由(you)數百(bai)埃(ai)至數微米。膜厚決(jue)(jue)定(ding)于(yu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發源(yuan)的蒸(zheng)(zheng)(zheng)發速率和時間（或決(jue)(jue)定(ding)于(yu)裝料量），并(bing)與(yu)源(yuan)和基(ji)片(pian)的距離有關。對于(yu)大面(mian)積(ji)鍍膜，常采用旋轉基(ji)片(pian)或多蒸(zheng)(zheng)(zheng)發源(yuan)的方式以(yi)保證膜層厚度的均勻(yun)性。從蒸(zheng)(zheng)(zheng)發源(yuan)到基(ji)片(pian)的距離應小于(yu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)在殘(can)余氣(qi)(qi)體中的平均自由(you)程，以(yi)免蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)與(yu)殘(can)氣(qi)(qi)分子(zi)碰撞引起化學作用。蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)平均動能約為(wei)0、1～0、2電子(zi)伏(fu)。蒸(zheng)(zheng)(zheng)發源(yuan)有三種類型。
①電阻(zu)加(jia)熱源：用難熔金(jin)屬如鎢、鉭(tan)制成舟箔(bo)或(huo)絲狀,通以電流,加(jia)熱在它(ta)上方(fang)的(de)或(huo)置于坩堝(guo)中(zhong)的(de)蒸(zheng)發物質（圖1[蒸(zheng)發鍍膜設(she)備示意圖]）電阻(zu)加(jia)熱源主要用于蒸(zheng)發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；
②高頻(pin)感應(ying)加熱源(yuan)：用高頻(pin)感應(ying)電(dian)流(liu)加熱坩堝和蒸發物質；
③電(dian)子束加(jia)熱源：適用(yong)于蒸發溫(wen)度較(jiao)高(gao)（不低于2000[618-1]）的材料(liao)，即用(yong)電(dian)子束轟擊(ji)材料(liao)使其蒸發。
蒸發鍍(du)膜(mo)與其他真空鍍(du)膜(mo)方法相比，具有(you)較高(gao)的沉積速(su)率(lv)，可鍍(du)制單質和不易熱分解的化合(he)物膜(mo)。

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資(zi)料整理中...