蒸(zheng)發(fa)(fa)物質(zhi)如金(jin)屬(shu)、化合物等(deng)置(zhi)于(yu)坩(gan)堝內或掛在熱(re)絲(si)上(shang)作(zuo)為(wei)蒸(zheng)發(fa)(fa)源，待鍍工(gong)件，如金(jin)屬(shu)、陶瓷、塑料等(deng)基片置(zhi)于(yu)坩(gan)堝前方(fang)。待系統抽至高真空后，加熱(re)坩(gan)堝使其中(zhong)的(de)(de)(de)物質(zhi)蒸(zheng)發(fa)(fa)。蒸(zheng)發(fa)(fa)物質(zhi)的(de)(de)(de)原子(zi)(zi)或分(fen)子(zi)(zi)以(yi)冷凝方(fang)式沉積在基片表面(mian)(mian)。薄膜(mo)厚(hou)度可由數(shu)百(bai)埃(ai)至數(shu)微米。膜(mo)厚(hou)決(jue)定于(yu)蒸(zheng)發(fa)(fa)源的(de)(de)(de)蒸(zheng)發(fa)(fa)速(su)率和時間（或決(jue)定于(yu)裝料量），并(bing)與(yu)源和基片的(de)(de)(de)距(ju)離(li)(li)有關。對于(yu)大面(mian)(mian)積鍍膜(mo)，常采用(yong)旋(xuan)轉基片或多蒸(zheng)發(fa)(fa)源的(de)(de)(de)方(fang)式以(yi)保證膜(mo)層厚(hou)度的(de)(de)(de)均勻性。從蒸(zheng)發(fa)(fa)源到基片的(de)(de)(de)距(ju)離(li)(li)應小于(yu)蒸(zheng)氣(qi)分(fen)子(zi)(zi)在殘(can)余氣(qi)體中(zhong)的(de)(de)(de)平均自由程(cheng)，以(yi)免蒸(zheng)氣(qi)分(fen)子(zi)(zi)與(yu)殘(can)氣(qi)分(fen)子(zi)(zi)碰撞引起化學(xue)作(zuo)用(yong)。蒸(zheng)氣(qi)分(fen)子(zi)(zi)平均動能約為(wei)0、1～0、2電(dian)子(zi)(zi)伏。蒸(zheng)發(fa)(fa)源有三種(zhong)類(lei)型。
①電(dian)阻加(jia)(jia)熱(re)源：用(yong)難熔金屬如(ru)鎢、鉭制成舟箔或(huo)絲狀,通以電(dian)流(liu),加(jia)(jia)熱(re)在(zai)它上(shang)方(fang)的(de)或(huo)置于坩堝(guo)中(zhong)的(de)蒸發物質（圖1[蒸發鍍膜設備示意圖]）電(dian)阻加(jia)(jia)熱(re)源主要用(yong)于蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；
②高頻感應加熱源(yuan)：用高頻感應電流加熱坩堝和(he)蒸發物質(zhi)；
③電子束加熱(re)源：適用(yong)于蒸發溫度較高（不低于2000[618-1]）的材料，即用(yong)電子束轟擊(ji)材料使其蒸發。
蒸(zheng)發鍍膜與其(qi)他真(zhen)空(kong)鍍膜方法(fa)相比(bi)，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和(he)不易(yi)熱分解的化合物膜。

資料整(zheng)理中...

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