蒸(zheng)發(fa)物(wu)(wu)質如金(jin)屬、化合物(wu)(wu)等(deng)置(zhi)于(yu)坩堝內或(huo)掛在(zai)(zai)熱絲上作為(wei)蒸(zheng)發(fa)源，待(dai)鍍工件，如金(jin)屬、陶瓷、塑(su)料等(deng)基(ji)(ji)(ji)片(pian)置(zhi)于(yu)坩堝前方。待(dai)系統(tong)抽至高(gao)真空后，加(jia)熱坩堝使其中的(de)物(wu)(wu)質蒸(zheng)發(fa)。蒸(zheng)發(fa)物(wu)(wu)質的(de)原子或(huo)分(fen)(fen)子以(yi)冷凝方式(shi)沉積(ji)在(zai)(zai)基(ji)(ji)(ji)片(pian)表面(mian)。薄膜(mo)厚(hou)度可由數百(bai)埃至數微(wei)米。膜(mo)厚(hou)決定于(yu)蒸(zheng)發(fa)源的(de)蒸(zheng)發(fa)速率和時間（或(huo)決定于(yu)裝料量），并與源和基(ji)(ji)(ji)片(pian)的(de)距離(li)有關(guan)。對(dui)于(yu)大面(mian)積(ji)鍍膜(mo)，常采用(yong)(yong)旋轉基(ji)(ji)(ji)片(pian)或(huo)多蒸(zheng)發(fa)源的(de)方式(shi)以(yi)保(bao)證(zheng)膜(mo)層厚(hou)度的(de)均(jun)勻性。從蒸(zheng)發(fa)源到基(ji)(ji)(ji)片(pian)的(de)距離(li)應小于(yu)蒸(zheng)氣分(fen)(fen)子在(zai)(zai)殘余氣體中的(de)平(ping)均(jun)自(zi)由程(cheng)，以(yi)免蒸(zheng)氣分(fen)(fen)子與殘氣分(fen)(fen)子碰(peng)撞(zhuang)引起化學作用(yong)(yong)。蒸(zheng)氣分(fen)(fen)子平(ping)均(jun)動能約(yue)為(wei)0、1～0、2電子伏。蒸(zheng)發(fa)源有三種(zhong)類型。
①電阻加(jia)(jia)熱源：用(yong)難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔(bo)或絲(si)狀(zhuang),通以電流(liu),加(jia)(jia)熱在(zai)它(ta)上(shang)方的(de)或置于坩堝中的(de)蒸(zheng)發物質（圖1[蒸(zheng)發鍍膜設備(bei)示意圖]）電阻加(jia)(jia)熱源主(zhu)要用(yong)于蒸(zheng)發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料(liao)；
②高(gao)頻感(gan)(gan)應(ying)加熱源：用高(gao)頻感(gan)(gan)應(ying)電流加熱坩堝和蒸發物(wu)質；
③電子(zi)束(shu)加熱(re)源：適用(yong)(yong)于(yu)蒸發溫度較高(gao)（不低(di)于(yu)2000[618-1]）的材料，即用(yong)(yong)電子(zi)束(shu)轟(hong)擊材料使其蒸發。
蒸發鍍(du)膜(mo)與其他真(zhen)空鍍(du)膜(mo)方法(fa)相比，具有較(jiao)高(gao)的沉積速率，可鍍(du)制單質(zhi)和不易熱分解的化合物膜(mo)。

資料(liao)整(zheng)理中...

資(zi)料整理中...