蒸發(fa)(fa)(fa)物(wu)(wu)質如金屬、化(hua)合物(wu)(wu)等(deng)置于坩(gan)堝(guo)內或掛在(zai)熱絲上作為蒸發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)，待鍍(du)工件，如金屬、陶(tao)瓷、塑料(liao)等(deng)基片(pian)置于坩(gan)堝(guo)前(qian)方(fang)。待系統抽至高(gao)真空后，加熱坩(gan)堝(guo)使其中的物(wu)(wu)質蒸發(fa)(fa)(fa)。蒸發(fa)(fa)(fa)物(wu)(wu)質的原子(zi)(zi)或分子(zi)(zi)以(yi)冷凝(ning)方(fang)式沉積(ji)在(zai)基片(pian)表面(mian)。薄膜(mo)厚(hou)度可(ke)由數(shu)百埃至數(shu)微米。膜(mo)厚(hou)決(jue)定于蒸發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)的蒸發(fa)(fa)(fa)速(su)率和時(shi)間（或決(jue)定于裝料(liao)量），并(bing)與(yu)(yu)源(yuan)(yuan)和基片(pian)的距離有關。對于大面(mian)積(ji)鍍(du)膜(mo)，常采用(yong)(yong)旋轉基片(pian)或多蒸發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)的方(fang)式以(yi)保證膜(mo)層厚(hou)度的均(jun)勻性(xing)。從蒸發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)到基片(pian)的距離應小于蒸氣(qi)(qi)(qi)分子(zi)(zi)在(zai)殘(can)余氣(qi)(qi)(qi)體中的平均(jun)自由程(cheng)，以(yi)免蒸氣(qi)(qi)(qi)分子(zi)(zi)與(yu)(yu)殘(can)氣(qi)(qi)(qi)分子(zi)(zi)碰撞引起化(hua)學作用(yong)(yong)。蒸氣(qi)(qi)(qi)分子(zi)(zi)平均(jun)動能約為0、1～0、2電子(zi)(zi)伏。蒸發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)有三種類型(xing)。
①電(dian)阻(zu)加(jia)熱(re)源(yuan)：用(yong)難熔金(jin)屬如鎢、鉭制成舟(zhou)箔或(huo)絲狀(zhuang),通以電(dian)流,加(jia)熱(re)在它(ta)上方的或(huo)置(zhi)于(yu)坩堝中的蒸發(fa)物質（圖1[蒸發(fa)鍍(du)膜設備(bei)示(shi)意圖]）電(dian)阻(zu)加(jia)熱(re)源(yuan)主要用(yong)于(yu)蒸發(fa)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材(cai)料；
②高頻(pin)感(gan)應(ying)加熱源：用高頻(pin)感(gan)應(ying)電流加熱坩堝(guo)和蒸(zheng)發物(wu)質；
③電子(zi)束(shu)(shu)加(jia)熱源：適用于蒸發(fa)溫度較(jiao)高（不低于2000[618-1]）的(de)材料(liao)，即用電子(zi)束(shu)(shu)轟擊材料(liao)使(shi)其蒸發(fa)。
蒸(zheng)發鍍膜與其他真空(kong)鍍膜方法相比(bi)，具有(you)較高的沉積速率(lv)，可鍍制單質和不(bu)易熱分解的化合物(wu)膜。

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