蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)物質如金屬、化合物等置(zhi)于(yu)坩(gan)(gan)堝(guo)內或(huo)掛在熱(re)絲(si)上(shang)作為(wei)(wei)蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)，待鍍工件(jian)，如金屬、陶瓷、塑料等基片(pian)(pian)置(zhi)于(yu)坩(gan)(gan)堝(guo)前方。待系統抽(chou)至高真空后，加熱(re)坩(gan)(gan)堝(guo)使(shi)其(qi)中(zhong)的(de)物質蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)。蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)物質的(de)原子(zi)或(huo)分子(zi)以冷凝方式(shi)沉積(ji)在基片(pian)(pian)表面。薄膜(mo)厚度(du)(du)可由(you)數(shu)百埃至數(shu)微米。膜(mo)厚決定于(yu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)的(de)蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)速率和時間（或(huo)決定于(yu)裝料量），并與源(yuan)(yuan)和基片(pian)(pian)的(de)距離有(you)關。對于(yu)大面積(ji)鍍膜(mo)，常采用(yong)旋轉(zhuan)基片(pian)(pian)或(huo)多蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)的(de)方式(shi)以保證膜(mo)層厚度(du)(du)的(de)均(jun)(jun)勻性。從蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)到基片(pian)(pian)的(de)距離應小于(yu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)在殘(can)余氣(qi)(qi)體(ti)中(zhong)的(de)平均(jun)(jun)自由(you)程(cheng)，以免(mian)蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)與殘(can)氣(qi)(qi)分子(zi)碰撞引(yin)起化學作用(yong)。蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)平均(jun)(jun)動能約為(wei)(wei)0、1～0、2電子(zi)伏。蒸(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)(yuan)有(you)三(san)種類型。
①電阻(zu)加(jia)熱(re)(re)源：用難熔金屬如鎢(wu)、鉭制成舟箔或絲狀,通(tong)以(yi)電流(liu),加(jia)熱(re)(re)在(zai)它(ta)上方(fang)的或置于(yu)(yu)坩堝(guo)中的蒸發(fa)物質（圖1[蒸發(fa)鍍膜設備示意圖]）電阻(zu)加(jia)熱(re)(re)源主要用于(yu)(yu)蒸發(fa)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料(liao)；
②高頻(pin)感(gan)應加熱源：用高頻(pin)感(gan)應電流(liu)加熱坩(gan)堝和蒸(zheng)發物質；
③電(dian)子(zi)束加熱源：適用于(yu)蒸(zheng)發溫(wen)度(du)較高（不(bu)低于(yu)2000[618-1]）的材(cai)料，即用電(dian)子(zi)束轟擊材(cai)料使其蒸(zheng)發。
蒸發(fa)鍍(du)膜(mo)與其他真(zhen)空鍍(du)膜(mo)方(fang)法相比，具有較(jiao)高的(de)沉積速(su)率(lv)，可鍍(du)制單質和(he)不易熱(re)分解的(de)化合物膜(mo)。

資料整(zheng)理中(zhong)...

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