蒸(zheng)發(fa)物質(zhi)如(ru)金屬、化合(he)物等(deng)(deng)置(zhi)于(yu)(yu)坩(gan)堝(guo)內或(huo)(huo)掛在(zai)熱絲上作為蒸(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)，待(dai)鍍(du)工件，如(ru)金屬、陶瓷、塑料等(deng)(deng)基片(pian)置(zhi)于(yu)(yu)坩(gan)堝(guo)前方(fang)。待(dai)系(xi)統抽至(zhi)高(gao)真空后，加(jia)熱坩(gan)堝(guo)使其(qi)中的(de)(de)物質(zhi)蒸(zheng)發(fa)。蒸(zheng)發(fa)物質(zhi)的(de)(de)原子(zi)(zi)(zi)或(huo)(huo)分子(zi)(zi)(zi)以冷凝方(fang)式沉(chen)積在(zai)基片(pian)表面(mian)。薄(bo)膜(mo)厚度(du)可(ke)由(you)數百埃至(zhi)數微米。膜(mo)厚決定于(yu)(yu)蒸(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)蒸(zheng)發(fa)速率和(he)時間（或(huo)(huo)決定于(yu)(yu)裝料量），并與源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)和(he)基片(pian)的(de)(de)距離(li)有關。對于(yu)(yu)大面(mian)積鍍(du)膜(mo)，常采用(yong)旋(xuan)轉基片(pian)或(huo)(huo)多(duo)蒸(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)方(fang)式以保證膜(mo)層厚度(du)的(de)(de)均(jun)勻性。從蒸(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)到基片(pian)的(de)(de)距離(li)應小于(yu)(yu)蒸(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)(zi)(zi)在(zai)殘(can)余氣(qi)(qi)體中的(de)(de)平均(jun)自由(you)程，以免蒸(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)(zi)(zi)與殘(can)氣(qi)(qi)分子(zi)(zi)(zi)碰撞引起(qi)化學作用(yong)。蒸(zheng)氣(qi)(qi)分子(zi)(zi)(zi)平均(jun)動能約為0、1～0、2電子(zi)(zi)(zi)伏(fu)。蒸(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)有三種類型。
①電阻加(jia)熱(re)源：用(yong)難(nan)熔金屬(shu)如鎢、鉭制成舟(zhou)箔或絲狀,通以電流(liu),加(jia)熱(re)在它(ta)上方的或置于(yu)坩堝中的蒸發(fa)(fa)物質（圖1[蒸發(fa)(fa)鍍(du)膜設(she)備(bei)示意圖]）電阻加(jia)熱(re)源主要用(yong)于(yu)蒸發(fa)(fa)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等(deng)材料；
②高頻感應加(jia)熱源：用高頻感應電流加(jia)熱坩堝和蒸(zheng)發物質；
③電(dian)子束加熱(re)源(yuan)：適用于(yu)蒸(zheng)發溫度較(jiao)高（不低于(yu)2000[618-1]）的(de)材料(liao)，即(ji)用電(dian)子束轟擊(ji)材料(liao)使其蒸(zheng)發。
蒸發鍍(du)膜(mo)與其(qi)他真空鍍(du)膜(mo)方法(fa)相比，具(ju)有較(jiao)高的沉積速率，可鍍(du)制單質和(he)不易熱分解(jie)的化合物膜(mo)。

資料整理中...

資料整理中...