蒸(zheng)發(fa)物質(zhi)(zhi)如金屬(shu)、化合(he)物等置(zhi)(zhi)于(yu)坩堝內或(huo)掛在熱絲上作為蒸(zheng)發(fa)源(yuan)，待鍍工件(jian)，如金屬(shu)、陶(tao)瓷、塑料(liao)等基片(pian)置(zhi)(zhi)于(yu)坩堝前(qian)方。待系統抽(chou)至(zhi)高真空后，加熱坩堝使其中的(de)物質(zhi)(zhi)蒸(zheng)發(fa)。蒸(zheng)發(fa)物質(zhi)(zhi)的(de)原子或(huo)分(fen)(fen)子以(yi)冷凝方式(shi)沉積(ji)在基片(pian)表面(mian)。薄膜(mo)(mo)(mo)厚度(du)可由數百埃至(zhi)數微米。膜(mo)(mo)(mo)厚決定于(yu)蒸(zheng)發(fa)源(yuan)的(de)蒸(zheng)發(fa)速(su)率和(he)時間（或(huo)決定于(yu)裝料(liao)量），并與源(yuan)和(he)基片(pian)的(de)距(ju)(ju)離(li)有關(guan)。對于(yu)大(da)面(mian)積(ji)鍍膜(mo)(mo)(mo)，常采用(yong)旋轉基片(pian)或(huo)多蒸(zheng)發(fa)源(yuan)的(de)方式(shi)以(yi)保證膜(mo)(mo)(mo)層厚度(du)的(de)均(jun)勻性。從蒸(zheng)發(fa)源(yuan)到基片(pian)的(de)距(ju)(ju)離(li)應小于(yu)蒸(zheng)氣分(fen)(fen)子在殘余氣體中的(de)平均(jun)自由程(cheng)，以(yi)免(mian)蒸(zheng)氣分(fen)(fen)子與殘氣分(fen)(fen)子碰撞引起化學(xue)作用(yong)。蒸(zheng)氣分(fen)(fen)子平均(jun)動能(neng)約為0、1～0、2電子伏。蒸(zheng)發(fa)源(yuan)有三(san)種(zhong)類型。
①電(dian)阻加(jia)熱源：用(yong)難熔(rong)金屬(shu)如鎢、鉭制成舟箔或(huo)(huo)絲狀,通以電(dian)流,加(jia)熱在它上方(fang)的或(huo)(huo)置(zhi)于坩(gan)堝中(zhong)的蒸(zheng)(zheng)發物質(zhi)（圖1[蒸(zheng)(zheng)發鍍膜設備示意圖]）電(dian)阻加(jia)熱源主要用(yong)于蒸(zheng)(zheng)發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；
②高(gao)頻感應加(jia)(jia)熱源：用高(gao)頻感應電流加(jia)(jia)熱坩堝和蒸發物質(zhi)；
③電子(zi)束加熱(re)源：適(shi)用于蒸發溫度(du)較高（不低(di)于2000[618-1]）的材料，即用電子(zi)束轟擊(ji)材料使其蒸發。
蒸發鍍(du)膜與其他(ta)真(zhen)空鍍(du)膜方法相比，具(ju)有較高的沉積速率，可鍍(du)制單(dan)質和不易熱分解(jie)的化(hua)合物膜。

資(zi)料(liao)整(zheng)理中...

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