蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)物質如金(jin)屬、化合物等置(zhi)于坩(gan)堝內或(huo)掛在(zai)熱絲上作(zuo)為(wei)蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)，待鍍工件，如金(jin)屬、陶瓷、塑(su)料等基(ji)片(pian)(pian)置(zhi)于坩(gan)堝前方(fang)。待系統抽(chou)至高真(zhen)空后，加熱坩(gan)堝使(shi)其中的(de)(de)物質蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)。蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)物質的(de)(de)原子(zi)或(huo)分(fen)(fen)(fen)子(zi)以冷凝(ning)方(fang)式沉積在(zai)基(ji)片(pian)(pian)表面。薄膜厚度可由(you)數百埃(ai)至數微(wei)米。膜厚決(jue)定于蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)的(de)(de)蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)速率(lv)和時間（或(huo)決(jue)定于裝料量），并(bing)與(yu)源(yuan)和基(ji)片(pian)(pian)的(de)(de)距離有關。對于大面積鍍膜，常采用旋轉基(ji)片(pian)(pian)或(huo)多蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)的(de)(de)方(fang)式以保證膜層厚度的(de)(de)均勻性。從(cong)蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)到基(ji)片(pian)(pian)的(de)(de)距離應小于蒸(zheng)氣(qi)(qi)(qi)(qi)分(fen)(fen)(fen)子(zi)在(zai)殘余氣(qi)(qi)(qi)(qi)體中的(de)(de)平均自由(you)程，以免蒸(zheng)氣(qi)(qi)(qi)(qi)分(fen)(fen)(fen)子(zi)與(yu)殘氣(qi)(qi)(qi)(qi)分(fen)(fen)(fen)子(zi)碰撞(zhuang)引起化學作(zuo)用。蒸(zheng)氣(qi)(qi)(qi)(qi)分(fen)(fen)(fen)子(zi)平均動能約(yue)為(wei)0、1～0、2電子(zi)伏。蒸(zheng)發(fa)(fa)(fa)源(yuan)有三種類(lei)型。
①電阻加熱源：用難熔(rong)金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于(yu)坩堝(guo)中(zhong)的蒸(zheng)(zheng)發(fa)物質（圖(tu)(tu)1[蒸(zheng)(zheng)發(fa)鍍膜設備示(shi)意圖(tu)(tu)]）電阻加熱源主要用于(yu)蒸(zheng)(zheng)發(fa)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；
②高頻感應加(jia)熱源(yuan)：用高頻感應電流加(jia)熱坩堝和蒸發(fa)物(wu)質；
③電(dian)子束(shu)加(jia)熱源：適用于(yu)蒸(zheng)發溫度較高（不低(di)于(yu)2000[618-1]）的(de)材料，即用電(dian)子束(shu)轟(hong)擊材料使其蒸(zheng)發。
蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法(fa)相比，具有較(jiao)高的沉積(ji)速率，可鍍制單質和不易熱分解的化(hua)合物膜。

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