蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)物質如金(jin)屬、化合物等置于(yu)(yu)(yu)坩(gan)堝內或掛在熱絲上作為(wei)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)，待(dai)鍍(du)工件，如金(jin)屬、陶瓷、塑(su)料等基片(pian)置于(yu)(yu)(yu)坩(gan)堝前方(fang)。待(dai)系(xi)統(tong)抽至高(gao)真空后，加熱坩(gan)堝使其中的(de)(de)物質蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)。蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)物質的(de)(de)原子或分(fen)子以冷凝(ning)方(fang)式(shi)沉積(ji)(ji)在基片(pian)表面。薄膜厚(hou)度(du)可由(you)(you)數百(bai)埃至數微(wei)米。膜厚(hou)決定于(yu)(yu)(yu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)的(de)(de)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)速率(lv)和(he)時間（或決定于(yu)(yu)(yu)裝料量），并(bing)與(yu)源(yuan)(yuan)和(he)基片(pian)的(de)(de)距離有(you)關。對于(yu)(yu)(yu)大面積(ji)(ji)鍍(du)膜，常采用(yong)旋轉基片(pian)或多蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)的(de)(de)方(fang)式(shi)以保證(zheng)膜層厚(hou)度(du)的(de)(de)均勻(yun)性。從(cong)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)到基片(pian)的(de)(de)距離應小于(yu)(yu)(yu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣分(fen)子在殘余氣體中的(de)(de)平均自由(you)(you)程，以免(mian)蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣分(fen)子與(yu)殘氣分(fen)子碰撞引起化學作用(yong)。蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣分(fen)子平均動能約為(wei)0、1～0、2電子伏。蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)源(yuan)(yuan)有(you)三種類型。
①電(dian)阻加(jia)熱源(yuan)：用難熔金屬如(ru)鎢、鉭制成舟箔或絲(si)狀,通以電(dian)流,加(jia)熱在(zai)它上(shang)方的或置于坩堝(guo)中的蒸發(fa)物(wu)質（圖1[蒸發(fa)鍍膜設備(bei)示意圖]）電(dian)阻加(jia)熱源(yuan)主要用于蒸發(fa)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材(cai)料；
②高(gao)頻感應(ying)加熱源(yuan)：用高(gao)頻感應(ying)電(dian)流加熱坩堝(guo)和(he)蒸發物質；
③電(dian)子束加熱源：適用(yong)于(yu)蒸(zheng)發溫(wen)度較(jiao)高（不低于(yu)2000[618-1]）的材料(liao)，即用(yong)電(dian)子束轟擊材料(liao)使其蒸(zheng)發。
蒸發鍍膜(mo)與其他真(zhen)空(kong)鍍膜(mo)方法相(xiang)比，具有(you)較高(gao)的(de)沉積速率，可鍍制(zhi)單質和不易熱分解(jie)的(de)化合物(wu)膜(mo)。

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