真(zhen)空鍍膜的方法很多,計有:
(1)真空蒸(zheng)鍍:將(jiang)(jiang)需鍍膜(mo)(mo)的基體(ti)(ti)清洗(xi)后放到(dao)(dao)鍍膜(mo)(mo)室,抽(chou)空后將(jiang)(jiang)膜(mo)(mo)料加熱到(dao)(dao)高溫(wen),使蒸(zheng)氣達到(dao)(dao)約13.3Pa而(er)使蒸(zheng)氣分子飛到(dao)(dao)基體(ti)(ti)表面,凝結而(er)成薄膜(mo)(mo)。
(2)陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內,保持壓強約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發輝光放電(dian),帶(dai)正電(dian)的(de)氬離子(zi)撞擊陰極(ji),使其射出(chu)原子(zi),濺射出(chu)的(de)原子(zi)通過惰性氣氛沉積到基體上形成(cheng)膜。
(3)化(hua)學氣(qi)相沉積:通(tong)過熱分解所選定的金屬化(hua)合物或有機化(hua)合物,獲得沉積薄膜的過程(cheng)。
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