真(zhen)空鍍膜(mo)是(shi)真(zhen)空應用領(ling)域的(de)一(yi)個重要方(fang)面(mian)，它(ta)是(shi)以(yi)真(zhen)空技術為基礎，利用物(wu)(wu)理或(huo)化學方(fang)法，并(bing)吸收電子束(shu)(shu)、分子束(shu)(shu)、離子束(shu)(shu)、等離子束(shu)(shu)、射頻和磁(ci)控(kong)等一(yi)系列新(xin)技術，為科(ke)學研究和實(shi)際生產提供薄膜(mo)制備的(de)一(yi)種新(xin)工藝。簡單地說，在真(zhen)空中把金(jin)屬、合金(jin)或(huo)化合物(wu)(wu)進行蒸發或(huo)濺射，使(shi)其在被涂覆(fu)的(de)物(wu)(wu)體（稱(cheng)(cheng)基板、基片(pian)或(huo)基體）上凝固(gu)并(bing)沉積的(de)方(fang)法，稱(cheng)(cheng)為真(zhen)空鍍膜(mo)。

眾所周知，在某些材(cai)料的(de)(de)(de)表面上(shang)(shang)，只要鍍(du)上(shang)(shang)一(yi)層(ceng)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)，就能(neng)使材(cai)料具有(you)許多新(xin)的(de)(de)(de)、良好的(de)(de)(de)物理和化學(xue)性能(neng)。20世紀70年代，在物體(ti)表面上(shang)(shang)鍍(du)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)方法主要有(you)電(dian)鍍(du)法和化學(xue)鍍(du)法。前(qian)者(zhe)是(shi)通過(guo)通電(dian)，使電(dian)解(jie)液(ye)(ye)電(dian)解(jie)，被電(dian)解(jie)的(de)(de)(de)離子(zi)鍍(du)到作(zuo)為另一(yi)個(ge)電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)基體(ti)表面上(shang)(shang)，因(yin)此這(zhe)(zhe)種鍍(du)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)條件，基體(ti)必須是(shi)電(dian)的(de)(de)(de)良導體(ti)，而且薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)厚度(du)也難以(yi)控制(zhi)(zhi)。后者(zhe)是(shi)采用化學(xue)還原法，必須把膜(mo)(mo)(mo)(mo)材(cai)配制(zhi)(zhi)成(cheng)(cheng)溶液(ye)(ye)，并能(neng)迅(xun)速(su)參加還原反(fan)應，這(zhe)(zhe)種鍍(du)膜(mo)(mo)(mo)(mo)方法不(bu)僅(jin)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)結(jie)合(he)強(qiang)度(du)差，而且鍍(du)膜(mo)(mo)(mo)(mo)既(ji)不(bu)均勻也不(bu)易控制(zhi)(zhi)，同時還會產生大量的(de)(de)(de)廢液(ye)(ye)，造成(cheng)(cheng)嚴重的(de)(de)(de)污染(ran)。因(yin)此，這(zhe)(zhe)兩種被人們稱之為濕式(shi)鍍(du)膜(mo)(mo)(mo)(mo)法的(de)(de)(de)鍍(du)膜(mo)(mo)(mo)(mo)工藝受到了(le)很大的(de)(de)(de)限制(zhi)(zhi)。

真(zhen)空鍍(du)(du)膜(mo)則是相對于上述(shu)的濕式鍍(du)(du)膜(mo)方法而發展起來的一種(zhong)新型(xing)鍍(du)(du)膜(mo)技術，通常稱為干式鍍(du)(du)膜(mo)

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