真(zhen)(zhen)空鍍膜(mo)是(shi)真(zhen)(zhen)空應用領(ling)域的(de)一(yi)個重(zhong)要方(fang)(fang)面，它是(shi)以(yi)真(zhen)(zhen)空技(ji)術(shu)為(wei)基礎，利(li)用物(wu)理或(huo)化學(xue)方(fang)(fang)法(fa)，并吸收電子束(shu)、分子束(shu)、離(li)子束(shu)、等(deng)離(li)子束(shu)、射(she)(she)頻和(he)磁控等(deng)一(yi)系(xi)列新技(ji)術(shu)，為(wei)科學(xue)研究和(he)實際生(sheng)產提供(gong)薄膜(mo)制(zhi)備的(de)一(yi)種新工藝。簡單地說，在真(zhen)(zhen)空中把金屬、合金或(huo)化合物(wu)進(jin)行蒸(zheng)發或(huo)濺射(she)(she)，使其(qi)在被涂覆的(de)物(wu)體（稱基板、基片(pian)或(huo)基體）上(shang)凝固并沉積的(de)方(fang)(fang)法(fa)，稱為(wei)真(zhen)(zhen)空鍍膜(mo)。

眾所周(zhou)知，在(zai)某些(xie)材料的(de)(de)(de)表(biao)面上，只要鍍(du)(du)(du)上一(yi)層薄(bo)(bo)膜(mo)，就能(neng)(neng)使材料具有許(xu)多(duo)新的(de)(de)(de)、良好的(de)(de)(de)物理和化學(xue)性能(neng)(neng)。20世紀70年代，在(zai)物體(ti)表(biao)面上鍍(du)(du)(du)膜(mo)的(de)(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)(fa)主要有電(dian)(dian)鍍(du)(du)(du)法(fa)(fa)和化學(xue)鍍(du)(du)(du)法(fa)(fa)。前者(zhe)是(shi)通(tong)(tong)過通(tong)(tong)電(dian)(dian)，使電(dian)(dian)解液電(dian)(dian)解，被電(dian)(dian)解的(de)(de)(de)離子鍍(du)(du)(du)到(dao)作為另(ling)一(yi)個電(dian)(dian)極的(de)(de)(de)基體(ti)表(biao)面上，因此這種鍍(du)(du)(du)膜(mo)的(de)(de)(de)條(tiao)件，基體(ti)必(bi)須(xu)是(shi)電(dian)(dian)的(de)(de)(de)良導體(ti)，而且薄(bo)(bo)膜(mo)厚度也(ye)難(nan)以控制(zhi)。后者(zhe)是(shi)采用化學(xue)還原(yuan)(yuan)法(fa)(fa)，必(bi)須(xu)把膜(mo)材配制(zhi)成溶(rong)液，并能(neng)(neng)迅速(su)參加還原(yuan)(yuan)反應，這種鍍(du)(du)(du)膜(mo)方(fang)(fang)法(fa)(fa)不(bu)(bu)僅(jin)薄(bo)(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)結合(he)強度差，而且鍍(du)(du)(du)膜(mo)既不(bu)(bu)均勻也(ye)不(bu)(bu)易(yi)控制(zhi)，同(tong)時還會產生大(da)(da)量的(de)(de)(de)廢液，造成嚴重的(de)(de)(de)污染。因此，這兩種被人們稱(cheng)之為濕(shi)式(shi)鍍(du)(du)(du)膜(mo)法(fa)(fa)的(de)(de)(de)鍍(du)(du)(du)膜(mo)工藝受到(dao)了很大(da)(da)的(de)(de)(de)限制(zhi)。

真空鍍膜(mo)則是相對于上述的濕式(shi)鍍膜(mo)方法而發展起來的一種(zhong)新型(xing)鍍膜(mo)技術，通常(chang)稱為干式(shi)鍍膜(mo)

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