真空鍍膜(mo)的方法(fa)很多(duo),計有(you):
(1)真空蒸(zheng)鍍:將(jiang)需鍍膜的基(ji)體(ti)清洗后放到(dao)(dao)鍍膜室(shi),抽空后將(jiang)膜料加熱(re)到(dao)(dao)高溫,使蒸(zheng)氣(qi)達(da)到(dao)(dao)約13.3Pa而使蒸(zheng)氣(qi)分(fen)子飛到(dao)(dao)基(ji)體(ti)表面,凝結而成薄膜。
(2)陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內,保持壓強約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便(bian)激發輝光放電(dian)(dian),帶正電(dian)(dian)的(de)氬離子(zi)撞擊陰極,使其射出原(yuan)子(zi),濺射出的(de)原(yuan)子(zi)通過惰性氣氛沉積到(dao)基(ji)體上形成膜。
(3)化學(xue)氣相沉積:通過熱分解(jie)所選定(ding)的金(jin)屬(shu)化合物或有(you)機化合物,獲(huo)得沉積薄膜的過程。
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