真(zhen)空鍍膜是真(zhen)空應用領(ling)域(yu)的一(yi)個重(zhong)要方(fang)面，它是以真(zhen)空技術為基礎，利用物(wu)理或化學方(fang)法(fa)，并吸收電子(zi)(zi)束(shu)、分子(zi)(zi)束(shu)、離子(zi)(zi)束(shu)、等(deng)(deng)離子(zi)(zi)束(shu)、射(she)頻和磁控等(deng)(deng)一(yi)系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄(bo)膜制備的一(yi)種新工藝。簡單地說(shuo)，在真(zhen)空中把金(jin)屬(shu)、合金(jin)或化合物(wu)進行蒸發或濺(jian)射(she)，使其在被涂覆的物(wu)體（稱基板(ban)、基片或基體）上凝固(gu)并沉積的方(fang)法(fa)，稱為真(zhen)空鍍膜。

眾(zhong)所周知，在某(mou)些材料的(de)表面上(shang)，只(zhi)要(yao)鍍上(shang)一(yi)層薄膜(mo)，就能使材料具有許多(duo)新的(de)、良好的(de)物理和化(hua)(hua)學(xue)性能。20世紀70年代，在物體(ti)表面上(shang)鍍膜(mo)的(de)方法(fa)主(zhu)要(yao)有電(dian)鍍法(fa)和化(hua)(hua)學(xue)鍍法(fa)。前者是(shi)通過通電(dian)，使電(dian)解液(ye)電(dian)解，被(bei)(bei)電(dian)解的(de)離子鍍到(dao)作為(wei)另(ling)一(yi)個(ge)電(dian)極的(de)基體(ti)表面上(shang)，因(yin)此(ci)這種(zhong)鍍膜(mo)的(de)條件，基體(ti)必(bi)須是(shi)電(dian)的(de)良導體(ti)，而且(qie)薄膜(mo)厚度(du)也(ye)(ye)難以控(kong)制(zhi)。后者是(shi)采用化(hua)(hua)學(xue)還原法(fa)，必(bi)須把膜(mo)材配制(zhi)成溶液(ye)，并能迅速參加還原反應，這種(zhong)鍍膜(mo)方法(fa)不(bu)僅薄膜(mo)的(de)結合強度(du)差，而且(qie)鍍膜(mo)既不(bu)均勻也(ye)(ye)不(bu)易控(kong)制(zhi)，同時(shi)還會產生大量的(de)廢液(ye)，造成嚴重的(de)污染。因(yin)此(ci)，這兩種(zhong)被(bei)(bei)人們稱之(zhi)為(wei)濕式鍍膜(mo)法(fa)的(de)鍍膜(mo)工藝(yi)受(shou)到(dao)了很大的(de)限制(zhi)。

真空(kong)鍍膜則是相對于上述(shu)的濕式鍍膜方法而(er)發展起(qi)來的一(yi)種(zhong)新型鍍膜技(ji)術，通常稱為干式鍍膜

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