真(zhen)空鍍膜技術一(yi)般(ban)分(fen)為(wei)兩大(da)類，即物理氣相沉(chen)積(ji)（PVD）技術和化學氣相沉(chen)積(ji)（CVD）技術。

物理(li)(li)氣(qi)相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)技術是指在(zai)真空(kong)條件下(xia)，利(li)用各種(zhong)物理(li)(li)方(fang)法(fa)，將鍍料氣(qi)化(hua)(hua)成原子(zi)(zi)、分子(zi)(zi)或(huo)使(shi)其(qi)離化(hua)(hua)為離子(zi)(zi)，直接沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)到(dao)基體表面上(shang)的(de)(de)方(fang)法(fa)。制備(bei)硬(ying)質反(fan)應(ying)膜(mo)大(da)多(duo)以物理(li)(li)氣(qi)相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)方(fang)法(fa)制得，它利(li)用某種(zhong)物理(li)(li)過程(cheng)，如(ru)物質的(de)(de)熱蒸發(fa)，或(huo)受到(dao)離子(zi)(zi)轟擊時物質表面原子(zi)(zi)的(de)(de)濺射等現(xian)象，實現(xian)物質原子(zi)(zi)從(cong)源物質到(dao)薄(bo)膜(mo)的(de)(de)可(ke)控轉移(yi)過程(cheng)。物理(li)(li)氣(qi)相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)技術具(ju)有膜(mo)/基結合力好、薄(bo)膜(mo)均勻(yun)致密、薄(bo)膜(mo)厚(hou)度可(ke)控性好、應(ying)用的(de)(de)靶材廣泛、濺射范圍寬、可(ke)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)厚(hou)膜(mo)、可(ke)制取成分穩定的(de)(de)合金膜(mo)和(he)重復性好等優點。同時，物理(li)(li)氣(qi)相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)技術由于其(qi)工藝(yi)處理(li)(li)溫度可(ke)控制在(zai)500℃以下(xia)，因(yin)此可(ke)作為最終的(de)(de)處理(li)(li)工藝(yi)用于高(gao)速(su)鋼和(he)硬(ying)質合金類的(de)(de)薄(bo)膜(mo)刀(dao)具(ju)上(shang)。由于采用物理(li)(li)氣(qi)相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)工藝(yi)可(ke)大(da)幅度提高(gao)刀(dao)具(ju)的(de)(de)切削性能(neng)，人們(men)在(zai)競相開發(fa)高(gao)性能(neng)、高(gao)可(ke)靠性設備(bei)的(de)(de)同時，也對其(qi)應(ying)用領域的(de)(de)擴(kuo)展，尤其(qi)是在(zai)高(gao)速(su)鋼、硬(ying)質合金和(he)陶瓷類刀(dao)具(ju)中(zhong)的(de)(de)應(ying)用進行了更加(jia)深入的(de)(de)研究。

化學(xue)氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)沉積(ji)技(ji)術是把含(han)有(you)構成薄(bo)膜(mo)(mo)元素的(de)(de)單質氣(qi)(qi)(qi)體(ti)或化合物(wu)供(gong)給基(ji)體(ti)，借助(zhu)氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)作用或基(ji)體(ti)表面上的(de)(de)化學(xue)反應，在基(ji)體(ti)上制出(chu)金屬或化合物(wu)薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)方法，主要包括常壓(ya)化學(xue)氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)沉積(ji)、低壓(ya)化學(xue)氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)沉積(ji)和(he)兼有(you)CVD和(he)PVD兩者特點的(de)(de)等離子化學(xue)氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)沉積(ji)等。 

資(zi)料整(zheng)理中(zhong)...

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