真(zhen)(zhen)空鍍膜(mo)技術(shu)是(shi)氣(qi)相物理沉積的方法之一，也叫(jiao)真(zhen)(zhen)空電鍍。是(shi)在真(zhen)(zhen)空條件下，用(yong)蒸發(fa)器加熱鍍膜(mo)材料使(shi)之升(sheng)華，蒸發(fa)粒(li)子流直接射向(xiang)基體(ti)，在基體(ti)表面沉積形成(cheng)固體(ti)薄膜(mo)。

　　真(zhen)空(kong)(kong)鍍膜(mo)的(de)應用(yong)廣(guang)泛(fan)，如真(zhen)空(kong)(kong)鍍鋁，在塑料等(deng)基體(ti)上進行(xing)真(zhen)空(kong)(kong)鍍，再經過(guo)不同(tong)顏色(se)的(de)染色(se)處理，可以(yi)應用(yong)于(yu)家具(ju)、工(gong)藝品、燈飾、鐘(zhong)表、玩具(ju)、汽車燈具(ju)、反光鏡及柔軟(ruan)包(bao)裝材料等(deng)產品制造中，裝飾效(xiao)果(guo)十分出色(se)。

真(zhen)空鍍膜(mo)技(ji)術基(ji)本原理(li)

　　真空鍍膜(mo)過程(cheng)簡單來說(shuo)就是電(dian)子(zi)在電(dian)場的(de)作用(yong)下加速(su)飛向基片的(de)過程(cheng)中與氬原子(zi)發生碰撞，電(dian)離(li)出(chu)大量(liang)的(de)氬離(li)子(zi)和電(dian)子(zi)，電(dian)子(zi)飛向基片。氬離(li)子(zi)在電(dian)場的(de)作用(yong)下加速(su)轟擊靶(ba)(ba)材，濺射出(chu)大量(liang)的(de)靶(ba)(ba)材原子(zi)，呈中性的(de)靶(ba)(ba)原子(zi)(或分子(zi))沉積在基片上成膜(mo)。

　　但在(zai)實際輝(hui)光放(fang)(fang)電(dian)(dian)直流(liu)濺(jian)射(she)系統中，自持放(fang)(fang)電(dian)(dian)很難在(zai)低于1.3Pa的(de)(de)條件(jian)下(xia)(xia)維持，這是因(yin)為在(zai)這種條件(jian)下(xia)(xia)沒有足夠(gou)的(de)(de)離(li)(li)化碰撞(zhuang)。因(yin)此(ci)在(zai)低于1.3～2.7Pa壓(ya)強下(xia)(xia)運行(xing)的(de)(de)濺(jian)射(she)系統提(ti)高離(li)(li)化碰撞(zhuang)就顯得(de)尤為重要。提(ti)高離(li)(li)化碰撞(zhuang)的(de)(de)方法要么(me)(me)靠(kao)額外的(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)源來提(ti)供，而不是靠(kao)陰極(ji)發射(she)出來的(de)(de)二次電(dian)(dian)子(zi);要么(me)(me)就是利用高頻放(fang)(fang)電(dian)(dian)裝置或者施(shi)加磁場的(de)(de)方式提(ti)高已有電(dian)(dian)子(zi)的(de)(de)離(li)(li)化效(xiao)率。

　　事實上(shang)，真空(kong)鍍(du)膜(mo)中二(er)次電(dian)子(zi)(zi)在(zai)加速飛(fei)向基(ji)片的(de)過程中受到磁(ci)場洛侖磁(ci)力的(de)影響，被(bei)束縛在(zai)靠近靶(ba)面的(de)等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體區域內，該(gai)區域內等(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體密(mi)度很(hen)(hen)高(gao)，二(er)次電(dian)子(zi)(zi)在(zai)磁(ci)場的(de)作用下圍繞(rao)靶(ba)面作圓周(zhou)運(yun)動(dong)，該(gai)電(dian)子(zi)(zi)的(de)運(yun)動(dong)路徑很(hen)(hen)長(chang)，在(zai)運(yun)動(dong)過程中不斷的(de)與(yu)氬(ya)原子(zi)(zi)發生碰撞電(dian)離(li)(li)出(chu)大量(liang)(liang)的(de)氬(ya)離(li)(li)子(zi)(zi)轟(hong)擊靶(ba)材(cai)，經過多次碰撞后電(dian)子(zi)(zi)的(de)能量(liang)(liang)逐漸(jian)降低，擺脫磁(ci)力線的(de)束縛，遠離(li)(li)靶(ba)材(cai)，最(zui)終(zhong)沉積在(zai)基(ji)片上(shang)。

真(zhen)空鍍膜就(jiu)是以磁場(chang)束縛而(er)延長電子(zi)(zi)的(de)(de)運(yun)動路徑，改(gai)變電子(zi)(zi)的(de)(de)運(yun)動方向(xiang)，提高工作(zuo)氣體(ti)的(de)(de)電離率和有(you)效利用(yong)電子(zi)(zi)的(de)(de)能量。電子(zi)(zi)的(de)(de)歸宿不(bu)僅僅是基(ji)片(pian)，真(zhen)空室內壁及(ji)靶源陽極也(ye)是電子(zi)(zi)歸宿，因為一般(ban)基(ji)片(pian)與真(zhen)空室及(ji)陽極在同一電勢。磁場(chang)與電場(chang)的(de)(de)交互作(zuo)用(yong)(EXB drift)使(shi)單個電子(zi)(zi)軌跡呈三維螺旋狀，而(er)不(bu)是僅僅在靶面圓周運(yun)動。