真空鍍(du)膜(mo)的方(fang)法很多(duo),計有:
(1)真空(kong)蒸(zheng)鍍:將需鍍膜(mo)的基體清洗后(hou)放到鍍膜(mo)室(shi),抽(chou)空(kong)后(hou)將膜(mo)料加熱到高溫,使蒸(zheng)氣(qi)達(da)到約13.3Pa而(er)使蒸(zheng)氣(qi)分子飛(fei)到基體表面,凝結而(er)成薄膜(mo)。
(2)陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內,保持壓強約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發輝光放電(dian),帶正(zheng)電(dian)的氬(ya)離子(zi)撞(zhuang)擊陰極,使其射(she)出(chu)原子(zi),濺射(she)出(chu)的原子(zi)通過惰(duo)性氣(qi)氛沉積到基(ji)體上形(xing)成膜(mo)。
(3)化(hua)學氣相沉積:通過(guo)熱(re)分解所(suo)選(xuan)定的(de)金屬(shu)化(hua)合物(wu)或有機化(hua)合物(wu),獲(huo)得沉積薄膜的(de)過(guo)程。
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資(zi)料整(zheng)理中(zhong)...
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